preparacion d la oblea: s utiliza l metodo d czoxralsky xa obtener 1 cristal d si (material con l q s fabrican ls cis) d gran tamaño.este metodo consiste en depositar 1 cristal d si (semiya) en 1 recipiente con si fundido.la semiya s gira y desplaza xa conseguir 1 cilindro d si monocristalino.este cilindro s corta en rebanadas (obleas) muy finas (con espesor del orden d 1 mm) q s pulen.oxidacion: proceso necesario xa obtener l sio2 q s utiliza como aislante en ls cis.ay 2 tecnicas d oxidacion,la...